【媒體報導】電晶體新革命，AI 時代的硬體升級來了！
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傳統矽材料快到極限了，但東京大學的研究團隊找到了新出路。他們開發出一種全新的電晶體技術，關鍵在於捨棄矽、改用摻鎵氧化銦（InGaOx）這種先進材料，徹底打開電子移動效率的新可能，為AI與高效運算量身打造。
這款電晶體最大特色是「環繞式閘極」設計，讓電流通道被閘極完整包覆，大幅強化穩定性與控制精度。為了改善材料的導電能力，研究團隊特別在氧化銦中加入鎵元素，不僅提高載流子移動率，也有效減少氧缺陷問題，讓晶體表現更穩定。
他們採用原子層沉積技術，一層層打造出極細緻的 nGaOx 薄膜，再透過加熱轉為理想的晶體結構，成功做出一顆高移動率、能穩定運作數小時的MOSFET。
這項突破技術，不只是延續摩爾定律，更可能成為AI、大數據時代核心元件的關鍵解方。
